Italia şi Intel vor construi în regiunea Veneto noua fabrică de 4,5 miliarde de euro

Guvernul de la Roma, aflat la sfârşit de mandat, şi grupul american Intel Corp au ales oraşul Vigasio din nord-estul regiunii Veneto ca loc preferat pentru noua uzină de miliarde de euro care va produce cipuri avansate în Italia, au declarat duminică pentru Reuters surse care au dorit să-şi păstreze anonimatul, potrivit Agerpres.

Recent, Intel anunţase că intenţionează să investească până la 80 de miliarde de euro în Europa în următorul deceniu, pentru a creşte capacităţile de producţie de cipuri ale regiunii.

Cu o investiţie iniţială în valoare de aproximativ 4,5 miliarde de euro, care ar urma să crească în timp, Intel anunţase că la uzina din Italia vor fi create 1.500 locuri de muncă, plus încă 3.500 joburi în rândul furnizorilor şi partenerilor, operaţiunile urmând să demareze între 2025 şi 2027.

În septembrie, Guvernul de la Roma şi Intel au semnat un acord cuprinzător dar anunţul public va fi făcut după publicarea rezultatelor alegerilor generale de dumnică, susţin sursele.

Un purtător de cuvânt al Intel a declarat că nu poate comenta deoarece negocierile sunt în derulare şi sunt confidenţial. Nici reprezentanţii Guvernul nu au dorit să comenteze.

Aflat lângă Verona, pe calea ferată şi autostrada strategică Brenner, Vigasio este opţiunea preferată din lista scurtă de două oraşe pentru realizarea investiţiei Intel. Pe lista scurtă se află şi o localitate din nord-vestul regiunii Piemont.

Unul din motivele alegerii oraşului Vigasio îl reprezintă conectarea sa cu Germania, şi în special cu oraşul Magdeburg, unde Intel va construi două fabrici, susţin sursele.

Iniţial, Intel şi Guvernul de la Roma au luat în considerare localităţi din regiunile Lombardia, Apulia şi Sicilia.

Anterior, Reuters anunţase că Italia este pregătită să asigure 40% din finanţarea investiţiei Intel.

Pentru a majora producţia internă de cipuri, autorităţile de la Rome negociază şi cu firmele STMicroelectronics, MEMC Electronic Materials Inc, TSMC şi Tower Semiconductor.